描述
关键技术规格
| 参数项 | 参数值 |
|---|---|
| 完整型号 | GHW-12Z |
| 产品类型 | 固态射频等离子发生器（RF Generator） |
| 工作频率 | 13.56 MHz ±0.005% |
| 额定射频输出功率 | 1250W |
| 输出阻抗 | 50Ω |
| 冷却方式 | 强制风冷 |
| 供电输入 | 200/208 VAC 单相 |
| 控制接口 | 本地面板按键 + 远程模拟 / 数字通讯控制 |
| 保护功能 | 过功率、过温、高反射功率、过流保护 |
| 工作温度 | 10 ℃ ~ +40 ℃（机柜环境） |
| 安装形式 | 19 英寸标准机架安装 |
| 配套部件 | 射频匹配器（Match Network） |
产品深度介绍
ENI GHW-12Z 是半导体行业经典 13.56MHz 固态射频电源，原 ENI 品牌现已归入 MKS。设备输出稳定 1250W 射频能量，搭配射频匹配网络，向工艺腔体馈入射频，激发等离子体，完成硅片刻蚀、PVD/CVD 薄膜沉积、表面等离子体清洗等制程。
内置功率闭环调节，可本地面板设定功率，也可由设备 PLC 远程设定与读取功率、反射功率。自带多重故障保护，反射功率超标自动降功率 / 停机，保护功放管。广泛装配于老款半导体、面板等离子工艺机台，GHW 系列 EOL 停产，备件断供风险高。
应用场景与行业案例
晶圆厂、面板厂老旧等离子机台最常见故障就是射频电源损坏。GHW-12Z 一旦失效，腔体无法起辉等离子，整台机台停机；原厂不再生产新机，替代电源需要重新匹配腔体、修改机台控制程序，停机周期很长。
典型应用场景:
- 半导体制造 – 硅片刻蚀工艺 干法刻蚀腔体等离子激发，控制刻蚀速率，保障晶圆图形良率。
- 薄膜沉积设备 – PVD、PECVD 工艺 介质膜、金属膜沉积，稳定等离子保证薄膜厚度均匀性。
- FPD 面板产线 – 液晶面板刻蚀与清洗 玻璃基板等离子清洗、干法刻蚀处理。
- 科研真空平台 – 等离子实验、材料表面改性 高校与研究所等离子材料处理实验平台。
案例：长三角晶圆厂刻蚀机抢修 去年，长三角一家芯片厂老刻蚀机 GHW-12Z 射频电源报错，高反射功率保护锁机，腔体无法起辉，晶圆批次卡在机台内。 联系 MKS 原厂，GHW-12Z 停产；新型替代射频电源需要改造匹配网络、修改机台工艺配方，预估停机 6 天，晶圆报废损失巨大。 产线急需同型号备件直接替换，我们完成上电、功率输出、反射保护全检后发货，48 小时送达洁净车间。 工艺工程师在洁净间完成电源拆装，对接原有匹配器，逐步调试功率，等离子稳定起辉，刻蚀工艺恢复。
