描述
关键技术规格
| 参数项 | 参数值 |
|---|---|
| 射频输出功率 | 3000 W（3kW） |
| 工作频率 | 13.56 MHz |
| 主输入电源 | 208 VAC 三相，50/60Hz |
| 电弧响应速度 | ＜200ns 识别，8ms 内恢复输出 |
| 通讯接口 | RS485，支持设备通讯协议 |
| 工作环境温度 | 0 ~ 50 ℃ |
| 保护功能 | 过压、过流、过温、反射功率保护 |
| 冷却方式 | 风冷 |
| 适用工艺 | 等离子刻蚀、薄膜沉积 |
| 认证 | CE、RoHS |
产品深度介绍
AE APEX3013 0190-53914 是 Advanced Energy 推出的 APEX 系列射频发生器，属于半导体设备核心工艺电源，用于产生 13.56MHz 射频信号激发等离子体。设备适配晶圆工艺腔体，是刻蚀、PVD 沉积设备的配套功率单元。
该电源内置纳秒级电弧检测模块，可在起弧初期快速抑制反射功率，降低晶圆报废风险。功率输出闭环调节，负载波动时维持工艺参数稳定，相比老款电源，减少工艺中断次数，适配 200mm/300mm 晶圆产线。
应用场景与行业案例
半导体产线最怕工艺腔体突发电弧，射频电源一旦异常停机，整批晶圆会直接报废。这类射频电源属于机台核心备件，产线一般会预留备用单元，避免非计划停机。
典型应用场景：
- 半导体制造 – 晶圆刻蚀工艺 用于干法刻蚀腔体，控制等离子体能量，完成硅片图形刻蚀，对功率稳定性和电弧抑制能力要求高。
- 半导体制造 – 薄膜沉积 PVD 工艺 控制溅射等离子体，在晶圆表面沉积金属或介质薄膜，功率波动会直接影响膜厚均匀度。
- LED 光电 – 氮化镓外延设备 驱动 MOCVD 腔体等离子清洗，腔体粉尘多，电源需要耐受持续反射功率冲击。
- 光伏行业 – 硅片等离子体清洗 电池片前处理腔体，批量连续生产，要求电源长时间不间断稳定输出。
案例：某国内 200mm 晶圆厂备件替换 去年第三季度，这条产线刻蚀机上的 AE APEX3013 射频电源报高反射功率告警，腔体无法起等离子。设备停机，每小时产能损失 25 片晶圆。原厂订货周期 8 周，产线无法等待。
客户联系我们，仓库备有同型号 0190-53914 现货。我们完成全套上电、负载模拟测试后发货，3 天送达现场。现场工程师更换电源，核对通讯参数与功率标定，上机后腔体一次起弧成功，产线恢复运行。
